EN ▸ Samsung debuts three next-generation memory technologies for AI data centers — zHBM, zNAND-O, and BV-NAND all rely on advanced wafer bonding technologies
Samsung, AI Veri Merkezleri için Üç Yeni Bellek Teknolojisini Tanıttı
Latest from Tom's Hardware ·
Samsung, 2026 Geleceğin Bellek ve Depolama Konferansı'nda zHBM, zNAND-O ve BV-NAND isimli üç yeni bellek teknolojisini tanıttı. Bu teknolojiler, yapay zeka ve genel amaçlı uygulamalar için geliştirilmiş olup, wafer bonding teknolojisine dayanıyor. zHBM, yüksek performanslı bellek çözümleri sunarken, zNAND-O, depolama birimlerini işlemciye yakın konumlandırarak düşük gecikme ve yüksek bant genişliği sağlıyor. BV-NAND ise, 3D NAND teknolojisinin bir evrimi olarak tanımlanıyor ve daha yüksek I/O hızları sunmayı hedefliyor. Bu yenilikler, veri merkezleri için kritik öneme sahip ve Samsung'un bellek pazarındaki rekabet gücünü artırmayı amaçlıyor.